PN256KNIA

Каталоги продукции

Краткое описание:

PN256K - это энергонезависимая память с интерфейсом IIC емкостью 256K бит/32K байт. Она использует передовую технологию PMTJ STT-MRAM для достижения скорости чтения и записи до 400 кГц, обладает превосходной надежностью и более чем 20-летним сроком хранения данных.

Теги: Активный компонент, Anolog IC, электронный компонент, горячая продукция, Интегральная схема, STT-MRAM

Деталь продукта

Характеристики :

PMTJ STT-MRAM технология

STTtechnology
256K бит/32 КБайт

IIC интерфейс

Поддержка стандартного режима (100 кГц) и быстрого режима (400 кГц)
Триггер Шмитта и фильтр подавления шума для SDA иSCL
Быстрое время записи (100 мин)

Рабочее напряжение

Типовое напряжение Vcc7V~3.6V

Диапазон рабочих температур

-40℃~85℃

Защита данных

Поддерживает режим аппаратной защиты от записи для полной емкости, настраиваемый черезWP

Потребляемая мощность

Ток сна 2 мкА (типовое значение)
Ток в режиме ожидания 20 мкА (типовое значение)
Рабочий ток 400 мкА (типичный ток записи @400 КГц)

Надежность

Время записи1E12
Хранение данных >20 лет при 85℃

Пакет

SOP8

Таблица параметров

Абсолютный максимум Рейтинг

Символ	Параметр	Тест Условия	Значение	Единица
VCC	Напряжение питания		От 0 до 3,6	V
Вин	Напряжение на любом выводе		От 0 до 3,6	V
Iout	Выходной ток на каждый контакт		±3	мА
Tbias	Температура при смещении		от -40 до 85	℃
Tstg	Температура хранения		от -55 до 125	℃
Tlead	Температура свинца во время пайки (не более 3 минут)		260	℃
Hmax написать	Максимальное магнитное поле во время записи*1	Пишите	4,000	А/м
показания Hmax	Максимальное магнитное поле во время считывания или режим ожидания*1	Чтение или режим ожидания	12,000	А/м
Выключение питания Hmax	Максимальное магнитное поле при выключенном питании*1	Выключение питания	45,000	А/м

Примечание:

Условия испытаний - комнатная температура и воздействие вертикального магнитного поля в течение одного месяца для измерения антимагнитной способности.

Электрика Характеристики

В этой главе представлены электрические характеристики микросхемы. Значения параметров переменного и постоянного тока, приведенные в следующей таблице, получены на основе условий эксплуатации, указанных в таблице 4, и условий измерений, отмеченных в таблице 5. При проверке параметров обращайте внимание на соответствие условий эксплуатации и условий измерений.

Работа Условия

Символ	Параметр	Мин	Макс	Единица
VCC	Напряжение питания	2.7	3.6	V
Налог	Рабочая температура	-40	85	℃

DC характеристика

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин	Тип.	Макс	Единица
\|I_LI\|	Входной ток утечки *1	V_В=0V~VCC			1	μA
\|I_LO\|	Выходной ток утечки*2	V_ВЫХОД=0 V~VCC			1	μA
I_SLP	Ток сна	SCL、SDA=VCC, A0、A1、A2、WP=0V		2	6	μA
I_SBY	Ток в режиме ожидания	SCL, SDA = VCC , AO、A1、A2、WP =0Vor VCC или плавающий*3		20	35	μA
I_CC	Активный ток	SCL=400 КГц		400	600	μA
V_IL	Низкое напряжение на входе	VCC=2.7V~3.6V	VSS		VCC*0.2	V
V_IH	Высокое напряжение на входе	VCC=2.7V~3.6V	VCC*0.8		VCC+0.3	V
V_OL	Низкое напряжение на выходе	I_OL=3 мА			VCC*0.2	V
R_В	Входное сопротивление(WP、A0、 A1、A2 )	V_В=V_IL(Макс.)	50			kΩ
R_В	Входное сопротивление(WP、A0、 A1、A2 )	V_В= V_IH(мин.)	1			MΩ

Примечания:

Применимо к SCL и SDA
Применимо к SDA
В дополнение к состоянию уровней выводов в таблице, условия тестирования спящего режима также должны гарантировать, что время измерения происходит после состояния остановки, и не может быть измерено, когда инструкция находится на полпути

Емкость контактов

Символ	Параметр	Макс	Единица
C_В	Входная емкость управления	15	пФ
C_IO	Емкость ввода-вывода	15	пФ

AC Характеристики

Символ	Параметр	100 кГц		400 кГц		Единица
Символ	Параметр	Мин	Макс	Мин	Макс	Единица
t_CLK	Период CLK	10		2.5		μs
высокий	Высокий уровень часов	4		0.6		μs
t_LOW	Низкий уровень часов	4.7		1.3		μs
t_R	Время нарастания SCL, SDA		1000		300	ns
t_F	Время спада SCL, SDA		300		300	ns
tHD:STA	Время удержания условия запуска	4		0.6		μs
ТГУ:СТА	Время установки начального состояния	4.7		0.6		μs
tHD:DAT	Время удержания входных данных	2		2		ns
tSU:DAT	Время установки ввода данных	250		100		ns
tDH:DAT	Время удержания вывода данных	0		0		ns
tSU:STO	Время установки состояния останова	4		0.6		μs
t_AA	Низкий уровень SCL для вывода действительных данных		3		0.9	μs
t_BUF	Время предварительного заряда (интервал между состоянием остановки и состоянием запуска)	4.7		1.3		μs

Скажите, что вам нужно

Сопутствующие товары

SSP2617

SSP2927

SSP6206

Шанхай Сипроин

Microelectronics Co.,Ltd.

Приветствуем вас.

КОМПАНИЯ

ПОДДЕРЖКА

связаться с нами

Шанхайская компания Сипроин Микроэлектроникс Лтд.

PN256KNIA

Каталоги продукции

Основные связи, новое будущее

Ссылка на применение для выбора микросхемы стабилизатора напряжения LDO

Приложение для измерения трехфазного напряжения на базе SSP1839

Применение Siproin SST-MRAM в интеллектуальных счетчиках

Tech Gala открывает новую эру в электронной промышленности

STT-MRAM Энергонезависимая магнитная память с произвольным доступом

Краткое описание:

Деталь продукта

Характеристики :

Таблица параметров

Абсолютный максимум Рейтинг

Электрика Характеристики

Работа Условия

Скажите, что вам нужно

Сопутствующие товары

Скажите, что вам нужно