Характеристики
| Приложения
|
Блог
Характеристики
| Приложения
|
| Артикул | Мин | Макс | Единица |
| VВ напряжение(1) | -0.3 | 6.0 | V |
| VВЫХОД напряжение (1) | -0.3 | 5.5 | V |
| Непрерывная рассеиваемая мощность (TA = 25°C) (2) | 0.4 | W | |
| Рассеиваемая мощность | Внутренне ограниченный | ||
| Рабочая температура спая, TJ | -40 | 125 | °C |
| Температура хранения, Tstg | -65 | 150 | °C |
| Температура свинца (пайка, 10 сек.) | 260 | °C | |
| Символ | Параметр | Макс. | Единица |
| θJA | Термическое сопротивление(3) | 170 | ℃/W |
| θJC | 75 | ℃/W |
Примечание (1): Превышение указанных номиналов может привести к повреждению устройства.
Примечание (2): Максимально допустимая рассеиваемая мощность зависит от максимальной температуры спая TJ(MAX), тепловое сопротивление спая по отношению к окружающей среде θJA, и температура окружающей среды TA. Максимально допустимая непрерывная рассеиваемая мощность при любой температуре окружающей среды рассчитывается по формуле PD(MAX)=(TJ(MAX)-TA)/θJA. Превышение максимально допустимой рассеиваемой мощности приведет к повышению температуры корпуса, и регулятор перейдет в режим теплового отключения. Внутренняя схема теплового отключения защищает устройство от необратимого повреждения.
Примечание (3): Измерено на 4-слойной печатной плате JESD51-7.
VВ=5V，TA=25°C, если не указано иное.
| Параметр | Условия испытаний | Мин | Typ | Макс | Единица |
| Диапазон входного напряжения | 2.7 | 5.5 | V | ||
| Защита от превышения входного напряжения | 5.8 | 6 | 6.5 | V | |
| Ток покоя, IQ | VВ =5.0V | 20 | 40 | 60 | мкА |
| Ток отключения, IOFF | VВ =5,0 В , VCE =0 | 0.1 | 2.0 | мкА | |
| Входное напряжение UVLO | Восход | 2.55 | 2.65 | V | |
| Падение | 2.25 | 2.37 | V | ||
| Напряжение обратной связи | VВ =5.0V | 0.588 | 0.6 | 0.612 | V |
| Предельный выходной ток | VВ = 5,0 В, VВЫХОД = 3.3V | 2.5 | 3 | A | |
| Регулирование линии | VВ = от 3 до 5,0 В | 0.2 | %/V | ||
| Регулирование нагрузки | IВЫХОД= 0.1 - 1A | 0.1 | 2 | %/A | |
| Частота переключения | VВ =5.0V | 1 | 1.3 | 1.8 | МГц |
| Сопротивление включения PMOS | VВ =5.0V | 140 | mΩ | ||
| Сопротивление включения NMOS | VВ =5.0V | 80 | mΩ | ||
| Порог входа CE ВКЛ | VВ =5.0V | 0.9 | 1.1 | V | |
| Порог входа CE ВЫКЛ. | VВ =5.0V | 0.4 | 0.7 | V | |
| Подтягивающий резистор входа CE | 750 | kΩ | |||
| Выходной -разрядный -резистор, Rpd | VВ =5.0V | 50 | Ω | ||
| Защита от перегрева | 150 | ℃ | |||
| Гистерезис OTP | 40 | ℃ |
Шанхай Сипроин
Microelectronics Co.,Ltd.
Приветствуем вас.
