SSP8012
SSP8012는 저전력 듀얼 키 터치 센서 IC입니다. 작동 모드는 일반 모드와 저전력 모드로 나뉩니다.
ULN2003
ULN2003은 단일 칩 통합 고전압, 고전류 달링턴 튜브 어레이로, 회로에는 7개의 독립적인 달링턴 튜브 드라이브 단일 채널이 포함되어 있습니다. 회로는 릴레이, 스테핑 모터 및 기타 유도 부하를 구동하는 데 사용할 수있는 연속 다이오드로 설계되었습니다. 단일 달링턴 콜렉터는 500mA 전류를 출력할 수 있습니다. 달링턴 튜브를 병렬로 연결하면 더 높은 출력 전류 용량을 얻을 수 있습니다.
PM002MNEB
PM002는 2M 비트/256K 바이트 용량의 SPI(직렬 단선) 인터페이스 STT-MRAM(스핀 전송 토크 자기 랜덤 액세스 메모리) 칩입니다. 데이터 보존 기간이 10년을 초과하는 비휘발성 데이터입니다. 이 칩은 독립적인 1비트 SI(직렬 입력) 및 SO(직렬 출력) 인터페이스를 지원하고, 최대 클록 주파수에서 데이터 바이트를 연속으로 쓰거나 읽을 수 있으며, 쓰기 지연 시간이 0입니다.
SSP8018
SSP8018 is a synchronous boost converter designed for battery-powered devices. The device supports a variety of battery types, including alkaline, nickel-metal hydride rechargeable batteries, lithium-manganese batteries, and lithium-ion rechargeable batteries. Its standout advantage lies in its high efficiency under light load conditions, a characteristic crucial for extending battery life.
In the application scenario of 3.3V boost to 5V, the chip is able to output current up to 300mA. Of particular note is the system achieving up to 90% conversion efficiency at a load current of 200mA.
SSP8018 chip offers two operating modes to suit different application scenarios: buck mode and pass-through mode. In buck mode, when the input voltage is higher than the output voltage (VOUT<VIN<VOUT + 0.3V), the chip can still accurately adjust the output voltage to the target value.
This mode is suitable for scenarios where a stable output voltage is required. When the input voltage exceeds the output voltage by more than 0.3V (VIN>VOUT + 0.3V), the chip automatically switches from buck mode to pass-through mode. In pass-through mode, the output voltage will follow the input voltage.
SSP8018 has a true shutdown function that completely disconnects the load from the input power supply when the device is disabled, significantly reducing current consumption.
SSP8018 is available in a fixed output voltage version.
PM002MNIB
PM002는 2M 비트/256K 바이트 용량의 SPI(직렬 단선) 인터페이스 STT-MRAM(스핀 전송 토크 자기 랜덤 액세스 메모리) 칩입니다. 데이터 보존 기간이 10년을 초과하는 비휘발성 데이터입니다. 이 칩은 독립적인 1비트 SI(직렬 입력) 및 SO(직렬 출력) 인터페이스를 지원하고, 최대 클록 주파수에서 데이터 바이트를 연속으로 쓰거나 읽을 수 있으며, 쓰기 지연 시간이 0입니다.
PM001MNxB
PM001은 1M 비트/128K 바이트 용량의 SPI(직렬 단선) 인터페이스 STT-MRAM(스핀 전송 토크 자기 랜덤 액세스 메모리) 칩입니다. 데이터 보존 기간이 10년을 초과하는 비휘발성 데이터입니다. 이 칩은 독립적인 1비트 SI(직렬 입력) 및 SO(직렬 출력) 인터페이스를 지원하며 최대 클록 주파수에서 데이터 바이트를 연속으로 쓰거나 읽을 수 있고 쓰기 지연 시간이 0입니다.
PU32F407
이 칩은 HPLC 통신을 지원하는 고집적 SOC 칩입니다. 물리 계층은 국가 그리드 표준 Q/GDW12087.41을 준수합니다. 고급 디지털-아날로그 하이브리드 설계 기술과 프로세스를 채택하여 HPLC 아날로그 프론트 엔드 회로, 디지털 신호 처리 회로, 메모리 및 MCU를 단일 칩에 완전히 통합하여 데이터 변조 및 복조는 물론 프로토콜 계층 처리를 완료합니다.
이 칩의 HPLC 통신 채널은 OFDM 변조 및 복조 방식을 사용하여 200KHz ~ 12MHz의 신호 주파수 범위를 지원합니다. 최대 411개의 부반송파를 지원할 수 있으며 다양한 속도 모드에 대해 BPSK, QPSK 및 16QAM 매핑을 지원하여 최대 12Mbps의 전송 속도를 달성합니다. 이 칩에는 강력한 터보 순방향 오류 수정 및 인터리빙 기술이 탑재되어 있으며 전송 모드를 유연하게 구성할 수 있어 강한 잡음 간섭에서도 안정적인 통신이 가능합니다.
이 칩은 32비트 MCU 코어와 풍부한 온칩 리소스를 통합하여 전력망 이중 모드 통신 프로토콜 계층의 MAC 계층 이상의 소프트웨어 기능 요구 사항과 애플리케이션 개발 요구 사항을 충족할 수 있습니다.
SSP9492
SSP9492는 프로그래밍 가능한 출력 전류를 갖춘 모놀리식 통합 스위치 오프 스텝다운 정전압 드라이버로, 넓은 입력 전압 범위에서 작동할 수 있고 부하 및 선형성 레귤레이션이 우수합니다. SSP9492의 안전 보호 메커니즘에는 사이클당 피크 전류 제한, 소프트 스타트, 과전압 보호, 온도 보호 및 단락 보호 등이 포함됩니다. 넓은 전압 입력 벅 사용에 매우 적합합니다. 고유한 소프트 스위칭 ZVS 기술과 슈퍼 정션 중전압 MOSFET이 결합되어 최대 93%의 효율을 구현합니다. 입력 48V 출력 12V/2.5A, 입력 19V 출력 5V/4A, 입력 85V 출력 12V/2A, 입력 12V 출력 5V/3A와 같은 일반적인 회로 애플리케이션을 지원합니다.
PM004MNIA
새로운 비휘발성 자성 메모리 MRAM은 비휘발성 캐시 및 메인 메모리에 이상적인 장치입니다. 응용 전망은 전통적인 컴퓨터 스토리지 시스템에 국한되지 않고 다른 많은 분야로 확장 될 수 있으며 일반 메모리가 될 것으로 예상됩니다.
MRAM은 정전 시에도 데이터가 손실되지 않도록 보장하고 광선으로 인한 데이터 손상을 방지할 수 있습니다. 사물 인터넷과 빅 데이터와 같은 새로운 애플리케이션에서 유비쿼터스 센서 단말기는 방대한 데이터를 수집해야 합니다. 스토리지 전력을 절약하기 위해 상대적으로 성능이 좋은 MRAM이 각광받고 있습니다.
SSP9322
SSP9322는 고주파, 동기식, 정류, 스텝다운, 스위치 모드 컨버터로 내부 전원 MOSFET을 갖추고 있습니다. 이 제품은 매우 컴팩트한 솔루션으로 넓은 입력 공급 범위에서 2A의 연속 출력 전류를 제공하며 부하 및 라인 레귤레이션이 뛰어납니다. COT PSM 제어 작동으로 매우 빠른 과도 응답과 간편한 루프 설계는 물론 매우 엄격한 출력 레귤레이션을 제공합니다. RY9320은 쉽게 구할 수 있는 최소한의 외부 부품만 필요하며 공간 절약형 SOT23-6 패키지로 제공됩니다.
