2023年7月20日、江蘇省産業情報化委員会と南京江北新区管理委員会が主催し、江蘇省半導体産業協会、南京江北新区産業技術研究イノベーションパーク、南京浦口経済開発区、CCIDコンサルティング株式会社、南京RoundExpo国際展覧有限公司が共催する「2023年世界半導体会議および南京国際半導体博覧会」が南京で盛大に開幕した。 上海思廣印微電子有限公司はこの会議に招待され、卓越した技術革新能力と先進的な人材育成理念が評価され、賞を受賞した。
同会議は "Core Ties, New Future "をテーマとし、コア技術と将来のトレンドから半導体産業の新市場、新製品、新技術に焦点を当て、ハイレベルな "半導体専門 "交流プラットフォーム、優れた技術製品の展示とプロモーションプラットフォーム、実務経験の共有プラットフォーム、需給ドッキングプラットフォームを構築し、多方面から中国半導体産業チェーンの協調的発展を支援することを約束する。
中国半導体市場で最優秀製品賞を受賞
2022年エクセレント 集積回路 上海思廣印微電子有限公司が「2022-2023年中国半導体市場最優秀製品賞」を受賞した。 不揮発性磁気メモリー)賞」を受賞した。
SRAM、DRAM、フラッシュといった従来のストレージ技術は、確かに現代のエレクトロニクス産業において目覚ましい成功を収めてきた。しかし、半導体製造プロセスが20nmレベルに近づくにつれ、これらの従来技術の欠陥はますます明白になってきている。
について 不揮発性磁気メモリー MRAMは、MOSチューブ、磁気トンネル接合MTJ、数本の接続ワイヤーから構成される。製造プロセスは現在の 集積回路 プロセスである。シンプルな構造で、準備プロセスのコストが低く、プロセスの拡張性が高い。14nmベースのMRAMプロセスが量産されている。
MRAMは、不揮発性、極めて高い消去・書き込み耐久性（1E9～1E14）、大容量などの特徴を持ち、情報の読み書きの際の損傷率が低く、消費電力が低く、高速（20ns）である。
キャッシュとして使用される場合、MRAMはその高い書き込み耐久性、ソフトエラーに対する自然な耐性、バックアップ電源不要、高集積密度、および不揮発性により、オンチップ・キャッシュ・システムの最良の候補の1つとなっている。MRAMキャッシュは、同容量のSRAMキャッシュよりも動的エネルギー消費量が少なく、情報読み取りレイテンシが短い。
MRAMは極めて高い耐放射線性を持ち、高性能コンピュータや制御システム、過酷な環境下でのデータ保存システムに使用できる。
シプロイン社が現在量産中および量産予定のMRAM容量は、256Kb、2Mb、4Mb、16Mb、64Mb、256Mbである。
