Aplikasi
Pencarian
Posting Catgories
Punya Pertanyaan?
Klik tombol untuk meninggalkan pesan Anda dan kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.
SSP1220 adalah konverter analog-ke-digital 24-bit presisi yang dikembangkan dan dirancang oleh Siproin Microelectronics. SSP1220 mampu melakukan konversi pada kecepatan data sampling hingga 2k SPS dan stabil dalam satu siklus. Untuk aplikasi industri di lingkungan yang bising, filter digital menyediakan penolakan 50Hz dan 60Hz pada frekuensi pengambilan sampel 20SPS.
SSP8011A-A adalah IC penginderaan sentuh kapasitif saluran tunggal berbiaya rendah dan berdaya rendah, rangkaian pengatur tegangan internal, beberapa komponen periferal, hanya beberapa komponen yang dapat mencapai penginderaan sentuh.
Menyediakan 2 mode output, output tinggi / rendah opsional, reset setelah maksimum 9S Sensitivitas tombol peka sentuhan dapat disesuaikan sesuai kebutuhan dengan menyesuaikan resistansi dan kapasitansi eksternal.
SSP9481 yang baru adalah konverter buck asinkron 80V, 1A berkinerja tinggi yang ideal untuk mendesain sistem daya dengan rentang tegangan input yang luas (4,5V hingga 80V) hingga output 3,3V dan kemampuan beban 1A. Di bawah ini, kami akan menguraikan cara menggunakan chip SSP9481 untuk menyelesaikan tugas desain ini, termasuk pemilihan parameter utama, desain sirkuit, pemilihan komponen, dan pengoptimalan kinerja.
Menurut karakteristik seri produk Shanghai Siproin Microelectronics, yang dapat digunakan secara luas dalam meteran pintar yang melibatkan perlindungan kebocoran, deteksi lampu jalan, soket, tumpukan pengisian daya, kotak distribusi listrik cerdas, dan kategori terkait meteran lainnya.
Detektor tegangan adalah chip IC yang memonitor tegangan saluran catu daya untuk mengeluarkan sinyal yang terdeteksi ketika tegangan turun di bawah atau melebihi tegangan pengaturan, yang juga disingkat untuk VD.Siproin menyediakan chip pendeteksi tegangan rendah berdaya rendah, yang tersedia dalam dua bentuk: Output CMOS dan output saluran terbuka NMOS.
STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) adalah generasi kedua dari MRAM (memori akses acak magnetik). Keunggulan utamanya terletak pada penggunaan teknologi spin current untuk mencapai penulisan informasi yang efisien. Komponen inti dari unit penyimpanannya adalah MTJ (magnetic tunnel junction) yang didesain dengan baik, yang terdiri dari dua lapisan feromagnetik dengan ketebalan berbeda yang diapit oleh lapisan isolasi non-magnetik yang tebalnya hanya beberapa nanometer. Desain unik ini menjadikan STT-MRAM sebagai memori non-volatile canggih yang melakukan operasi penulisan data dengan mengontrol arus putaran secara tepat.
