![\"\"](\"https:\/\/www.siproin-ic.com\/wp-content\/uploads\/2023\/07\/\u56fe\u72471.webp\")
<\/p>\nLe 20 juillet 2023, la \"2023 World Semiconductor Conference and Nanjing International Semiconductor Expo\", organis\u00e9e par l'industrie et la technologie de l'information de la province de Jiangsu et le Nanjing Jiangbei New Area Management Committee, et coorganis\u00e9e par la Jiangsu Semiconductor Industry Association, le Nanjing Jiangbei New Area Industrial Technology Research and Innovation Park, la Nanjing Pukou Economic Development Zone, CCID Consulting Co. et Nanjing RoundExpo International Exhibition Co. s'est ouverte en grande pompe \u00e0 Nanjing. Shanghai Siproin Microelectronics Co. a \u00e9t\u00e9 invit\u00e9e \u00e0 participer \u00e0 cette conf\u00e9rence et a \u00e9t\u00e9 r\u00e9compens\u00e9e pour ses capacit\u00e9s d'innovation technologique exceptionnelles et ses concepts avanc\u00e9s de formation des talents.<\/p>\n
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Avec pour th\u00e8me \"Liens fondamentaux, nouvel avenir\", la conf\u00e9rence se concentre sur le nouveau march\u00e9, les nouveaux produits et les nouvelles technologies de l'industrie des semi-conducteurs en tenant compte de la technologie fondamentale et des tendances futures, et s'engage \u00e0 construire une plate-forme d'\u00e9change de haut niveau \"sp\u00e9cifique aux semi-conducteurs\", une excellente plate-forme de pr\u00e9sentation et de promotion des produits technologiques, une plate-forme de partage d'exp\u00e9riences pratiques et une plate-forme d'arrimage de l'offre et de la demande, afin de contribuer au d\u00e9veloppement coordonn\u00e9 de la cha\u00eene industrielle chinoise des semi-conducteurs sous de nombreux aspects. La conf\u00e9rence a tenu le 2022 Excellent Circuit int\u00e9gr\u00e9<\/a> et Shanghai Siproin Microelectronics Co. Ltd. a remport\u00e9 le prix \"2022-2023 China Semiconductor Market Best Product\" (The M\u00e9moire magn\u00e9tique non volatile<\/a>) Prix\".<\/p>\n Les technologies de stockage traditionnelles, telles que SRAM, DRAM et Flash, ont en effet connu un succ\u00e8s remarquable dans l'industrie \u00e9lectronique moderne. Toutefois, \u00e0 mesure que le processus de fabrication des semi-conducteurs s'approche du niveau 20 nm, les d\u00e9fauts de ces technologies traditionnelles deviennent de plus en plus \u00e9vidents. Les capacit\u00e9s MRAM actuellement produites en masse et dont la production en masse est pr\u00e9vue par Siproin sont les suivantes : 256Kb, 2Mb, 4Mb, 16Mb, 64Mb et 256Mb.<\/p>\n Le 20 juillet 2023, la \"2023 World Semiconductor Conference and Nanjing International Semiconductor Expo\", organis\u00e9e par l'industrie et la technologie de l'information de la province de Jiangsu et le Nanjing Jiangbei New Area Management Committee, et coorganis\u00e9e par la Jiangsu Semiconductor Industry Association, le Nanjing Jiangbei New Area Industrial Technology Research and Innovation Park, la Nanjing Pukou Economic Development Zone, CCID Consulting Co. et Nanjing RoundExpo International Exhibition Co. s'est ouverte en grande pompe \u00e0 Nanjing. Shanghai Siproin Microelectronics Co. a \u00e9t\u00e9 invit\u00e9e \u00e0 participer \u00e0 cette conf\u00e9rence et a \u00e9t\u00e9 r\u00e9compens\u00e9e pour ses capacit\u00e9s d'innovation technologique exceptionnelles et ses concepts avanc\u00e9s de formation des talents.<\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":490,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[34],"tags":[],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/227"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=227"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/227\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/490"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=227"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=227"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=227"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}
\nA remport\u00e9 le prix du meilleur produit sur le march\u00e9 chinois des semi-conducteurs<\/b><\/strong><\/p>\n![\"\"](\"https:\/\/www.siproin-ic.com\/wp-content\/uploads\/2023\/07\/\u56fe\u72472.webp\")
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\nLes\u00a0M\u00e9moire magn\u00e9tique non volatile<\/a> La MRAM se compose d'un tube MOS, d'une jonction tunnel magn\u00e9tique MTJ et de plusieurs fils de connexion. Le processus de fabrication est enti\u00e8rement compatible avec les circuit int\u00e9gr\u00e9<\/a> de l'entreprise. Il pr\u00e9sente une structure simple, un faible co\u00fbt de pr\u00e9paration et une forte \u00e9volutivit\u00e9. Le processus MRAM bas\u00e9 sur 14nm a \u00e9t\u00e9 produit en masse.
\nLa MRAM pr\u00e9sente les caract\u00e9ristiques suivantes : non-volatilit\u00e9, r\u00e9sistance extr\u00eamement \u00e9lev\u00e9e \u00e0 l'effacement et \u00e0 l'\u00e9criture (1E9~1E14), grande capacit\u00e9, etc., faible taux d'endommagement lors de la lecture et de l'\u00e9criture des informations, faible consommation d'\u00e9nergie et vitesse \u00e9lev\u00e9e (20ns).
\nLorsqu'elle est utilis\u00e9e comme cache, la MRAM est devenue l'un des meilleurs candidats pour les syst\u00e8mes de cache sur puce en raison de sa grande endurance \u00e0 l'\u00e9criture, de son immunit\u00e9 naturelle aux erreurs l\u00e9g\u00e8res, de l'absence d'alimentation de secours, de sa densit\u00e9 d'int\u00e9gration \u00e9lev\u00e9e et de sa non-volatilit\u00e9. La m\u00e9moire cache MRAM a une consommation d'\u00e9nergie dynamique plus faible et une latence de lecture des informations plus courte que la m\u00e9moire cache SRAM de m\u00eame capacit\u00e9.
\nLa MRAM pr\u00e9sente une r\u00e9sistance aux radiations extr\u00eamement \u00e9lev\u00e9e et peut \u00eatre utilis\u00e9e dans des ordinateurs ou des syst\u00e8mes de contr\u00f4le \u00e0 haute performance et des syst\u00e8mes de stockage de donn\u00e9es dans des environnements difficiles.<\/p>\n![\"\"](\"https:\/\/www.siproin-ic.com\/wp-content\/uploads\/2023\/07\/\u56fe\u72473.webp\")
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