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Le SSP1220 est un convertisseur analogique-numérique de précision à 24 bits développé et conçu par Siproin Microelectronics. Le SSP1220 est capable d'effectuer des conversions à des taux d'échantillonnage allant jusqu'à 2k SPS et est stable à l'intérieur d'un seul cycle. Pour les applications industrielles dans des environnements bruyants, le filtre numérique permet de rejeter les 50Hz et 60Hz à une fréquence d'échantillonnage de 20SPS.
Le SSP8011A-A est un circuit intégré de détection tactile capacitif monocanal à faible coût et à faible consommation d'énergie.Circuit régulateur de tension intégré, peu de composants périphériques, seuls quelques composants peuvent réaliser la détection tactile.
La sensibilité des touches tactiles peut être réglée selon les besoins en ajustant la résistance et la capacité externes.
Le nouveau SSP9481 est un convertisseur buck asynchrone 80V, 1A de haute performance, idéal pour la conception de systèmes de puissance avec une large gamme de tensions d'entrée (4.5V à 80V) vers des sorties 3.3V et une capacité de charge de 1A. Ci-dessous, nous expliquons comment utiliser la puce SSP9481 pour réaliser cette tâche de conception, y compris la sélection des paramètres clés, la conception du circuit, la sélection des composants et l'optimisation des performances.
Selon les caractéristiques de la série de produits de Shanghai Siproin Microelectronics, ceux-ci pourraient être largement utilisés dans les compteurs intelligents impliquant la protection contre les fuites, la détection de l'éclairage public, les prises, les piles de chargement, les boîtiers de distribution électrique intelligents et d'autres catégories liées aux compteurs.
Le détecteur de tension est un circuit intégré qui surveille la tension de la ligne d'alimentation et émet un signal de détection lorsque la tension tombe en dessous ou dépasse la tension de réglage, qui est également court-circuitée pour VD.Siproin fournit des circuits de détection de basse tension à faible consommation, qui sont disponibles sous deux formes : sortie CMOS et sortie NMOS à drain ouvert.
La STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) est la deuxième génération de MRAM (magnetic random access memory). Son principal avantage réside dans l'utilisation de la technologie du courant de spin pour obtenir une écriture efficace des informations. Le composant central de son unité de stockage est une MTJ (jonction tunnel magnétique) finement conçue, qui consiste en deux couches ferromagnétiques d'épaisseurs différentes prises en sandwich par une couche d'isolation non magnétique de quelques nanomètres d'épaisseur seulement. Cette conception unique fait de la STT-MRAM une mémoire non volatile avancée qui effectue des opérations d'écriture de données en contrôlant précisément le courant de spin.
