![\"\"](\"https:\/\/www.siproin-ic.com\/wp-content\/uploads\/2023\/07\/\u56fe\u72471.webp\")
<\/p>\nEl 20 de julio de 2023, la \"Conferencia Mundial de Semiconductores 2023 y la Exposici\u00f3n Internacional de Semiconductores de Nanjing\", organizada por la Industria y Tecnolog\u00eda de la Informaci\u00f3n de la Provincia de Jiangsu y el Comit\u00e9 de Gesti\u00f3n de la Nueva \u00c1rea de Nanjing Jiangbei, y coorganizada por la Asociaci\u00f3n de la Industria de Semiconductores de Jiangsu, el Parque de Investigaci\u00f3n e Innovaci\u00f3n de Tecnolog\u00eda Industrial de la Nueva \u00c1rea de Nanjing Jiangbei, la Zona de Desarrollo Econ\u00f3mico de Nanjing Pukou, CCID Consulting Co., Ltd., y Nanjing RoundExpo International Exhibition Co.,Ltd., se inaugur\u00f3 a lo grande en Nanjing. Shanghai Siproin Microelectronics Co., Ltd. fue invitada a participar en esta conferencia y obtuvo premios por su destacada capacidad de innovaci\u00f3n tecnol\u00f3gica y sus avanzados conceptos de formaci\u00f3n de talentos.<\/p>\n
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Bajo el lema \"Lazos esenciales, nuevo futuro\", la conferencia se centra en el nuevo mercado, los nuevos productos y las nuevas tecnolog\u00edas de la industria de los semiconductores a la vista de la tecnolog\u00eda esencial y las tendencias futuras, y se compromete a construir una plataforma de intercambio \"espec\u00edfica para semiconductores\" de alto nivel, una plataforma de exhibici\u00f3n y promoci\u00f3n de productos de excelente tecnolog\u00eda, una plataforma de intercambio de experiencias pr\u00e1cticas y una plataforma de acoplamiento de la oferta y la demanda, con el fin de contribuir al desarrollo coordinado de la cadena de la industria china de los semiconductores desde muchos aspectos. La conferencia celebr\u00f3 el 2022 Excelente Circuitos integrados<\/a> y Shanghai Siproin Microelectronics Co., Ltd. gan\u00f3 el premio al \"Mejor Producto del Mercado de Semiconductores de China 2022-2023\". Memoria magn\u00e9tica no vol\u00e1til<\/a>) Premio\".<\/p>\n Las tecnolog\u00edas de almacenamiento tradicionales, como la SRAM, la DRAM y la Flash, han alcanzado un \u00e9xito notable en la industria electr\u00f3nica moderna. Sin embargo, a medida que el proceso de fabricaci\u00f3n de semiconductores se acerca al nivel de los 20 nm, los defectos de estas tecnolog\u00edas tradicionales son cada vez m\u00e1s evidentes. Las capacidades de MRAM actualmente en producci\u00f3n en serie y previstas para la producci\u00f3n en serie de Siproin incluyen 256Kb, 2Mb, 4Mb, 16Mb, 64Mb y 256Mb.<\/p>\n El 20 de julio de 2023, la \"Conferencia Mundial de Semiconductores 2023 y la Exposici\u00f3n Internacional de Semiconductores de Nanjing\", organizada por la Industria y Tecnolog\u00eda de la Informaci\u00f3n de la Provincia de Jiangsu y el Comit\u00e9 de Gesti\u00f3n de la Nueva \u00c1rea de Nanjing Jiangbei, y coorganizada por la Asociaci\u00f3n de la Industria de Semiconductores de Jiangsu, el Parque de Investigaci\u00f3n e Innovaci\u00f3n de Tecnolog\u00eda Industrial de la Nueva \u00c1rea de Nanjing Jiangbei, la Zona de Desarrollo Econ\u00f3mico de Nanjing Pukou, CCID Consulting Co., Ltd., y Nanjing RoundExpo International Exhibition Co.,Ltd., se inaugur\u00f3 a lo grande en Nanjing. Shanghai Siproin Microelectronics Co., Ltd. fue invitada a participar en esta conferencia y obtuvo premios por su destacada capacidad de innovaci\u00f3n tecnol\u00f3gica y sus avanzados conceptos de formaci\u00f3n de talentos.<\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":490,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[34],"tags":[],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/227"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=227"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/227\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/490"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=227"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=227"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=227"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}
\nGanador del premio al mejor producto en el mercado chino de semiconductores<\/b><\/strong><\/p>\n![\"\"](\"https:\/\/www.siproin-ic.com\/wp-content\/uploads\/2023\/07\/\u56fe\u72472.webp\")
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\nEn\u00a0Memoria magn\u00e9tica no vol\u00e1til<\/a> La MRAM se compone de un tubo MOS, una uni\u00f3n de t\u00fanel magn\u00e9tico MTJ y varios cables de conexi\u00f3n. El proceso de fabricaci\u00f3n es totalmente compatible con la circuito integrado<\/a> proceso. Tiene una estructura sencilla, un bajo coste de preparaci\u00f3n y una gran escalabilidad. El proceso MRAM basado en 14nm se ha producido en serie.
\nLa MRAM tiene las caracter\u00edsticas de no volatilidad, alt\u00edsima resistencia al borrado y la escritura (1E9~1E14), gran capacidad, etc., y tiene un bajo \u00edndice de da\u00f1os en la lectura y escritura de informaci\u00f3n, bajo consumo de energ\u00eda y alta velocidad (20ns).
\nCuando se utiliza como cach\u00e9, la MRAM se ha convertido en uno de los mejores candidatos para los sistemas de cach\u00e9 en chip debido a su alta resistencia a la escritura, inmunidad natural a los errores blandos, ausencia de fuente de alimentaci\u00f3n de reserva, alta densidad de integraci\u00f3n y ausencia de volatilidad. La cach\u00e9 MRAM tiene un menor consumo de energ\u00eda din\u00e1mica y una latencia de lectura de informaci\u00f3n m\u00e1s corta que la cach\u00e9 SRAM de la misma capacidad.
\nLa MRAM tiene una resistencia a la radiaci\u00f3n extremadamente alta y puede utilizarse en ordenadores de alto rendimiento o sistemas de control y almacenamiento de datos en entornos dif\u00edciles.<\/p>\n![\"\"](\"https:\/\/www.siproin-ic.com\/wp-content\/uploads\/2023\/07\/\u56fe\u72473.webp\")
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