{"id":515,"date":"2025-05-10T15:03:42","date_gmt":"2025-05-10T07:03:42","guid":{"rendered":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/?post_type=products&#038;p=515"},"modified":"2025-09-28T17:51:08","modified_gmt":"2025-09-28T09:51:08","slug":"pm004mnia-sop8","status":"publish","type":"products","link":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/products\/pm004mnia-sop8\/","title":{"rendered":"PM004MNIA"},"content":{"rendered":"<p><strong><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Caracter\u00edsticas<\/span><\/strong><\/p>\n<p><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">\u00a0 \u00a0 \u00a0 El PM004M es un dispositivo MRAM de Mbit de SPI\/QPI (interfaz serie\/cu\u00e1druple paralelo). Este dispositivo es configurable como 1 bit de E\/S separada o 4 bits de E\/S de interfaz com\u00fan. El PM004M tiene tecnolog\u00eda MRAM en la matriz de memoria. Los datos de la matriz de memoria se mantendr\u00e1n con una retenci\u00f3n de datos superior a 20 a\u00f1os.<\/span><\/p>\n<p><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Densidad<\/span><\/p>\n<ul>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\"> 4Mbit<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Interfaz SPI r\u00e1pida<\/span><\/p>\n<ul>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Hasta 50 MHz de frecuencia de reloj @SPI SDR<\/span><\/li>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Hasta 50 MHz de frecuencia de reloj @QPI SDR<\/span><\/li>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Soporta SPI est\u00e1ndar, modo Quad SPI<\/span><\/li>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Escritura sin retardo<\/span><\/li>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Soporta SPI mode0 y mode3<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Funcionamiento con un solo voltaje <\/span><\/p>\n<ul>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Tensi\u00f3n t\u00edpica\uff1a3,3V Vcc=2,7V~3,6V<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Protecci\u00f3n de datos<\/span><\/p>\n<ul>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Modo de protecci\u00f3n por software con BP0,BP1 en el registro de modo#1<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Consumo de energ\u00eda<\/span><\/p>\n<ul>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Corriente de reposo 2uA (valor t\u00edpico)<\/span><\/li>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Corriente de espera 2mA (valor t\u00edpico)<\/span><\/li>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Corriente activa 4,3 mA (valor t\u00edpico @SPI 50 MHz)<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Fiabilidad<\/span><\/p>\n<ul>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Conservaci\u00f3n de datos &gt;20 a\u00f1os @85\u2103<\/span><\/li>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Ciclo de PER hasta 108<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Paquete<\/span><\/p>\n<ul>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">SOP8_150MIL<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<p><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Temperatura<\/span><\/p>\n<ul>\n<li><span style=\"font-family: arial, helvetica, sans-serif\">Temperatura de uni\u00f3n: -40\u2103~85\u2103<\/span><\/li>\n<\/ul>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Una novedosa memoria magn\u00e9tica no vol\u00e1til MRAM es un dispositivo ideal para cach\u00e9 no vol\u00e1til y memoria principal. Sus posibilidades de aplicaci\u00f3n no se limitan al tradicional sistema de almacenamiento inform\u00e1tico, sino que pueden extenderse a muchos otros campos, e incluso se espera que se convierta en una memoria general.<\/p>\n<p>La MRAM garantiza que los datos no se pierdan en caso de corte del suministro el\u00e9ctrico y puede evitar da\u00f1os en los datos causados por los rayos. En aplicaciones emergentes como el Internet de las Cosas y el big data, los omnipresentes terminales de sensores necesitan recopilar datos masivos. Para ahorrar energ\u00eda de almacenamiento, la MRAM se ha convertido en un candidato popular por su rendimiento relativamente bueno.<\/p>","protected":false},"featured_media":2540,"template":"","adweb_product_categories":[328],"adweb_product_tags":[90,202,201],"gallery":[2538],"order":null,"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/adweb_products\/515"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/adweb_products"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/products"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2540"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=515"}],"wp:term":[{"taxonomy":"adweb_product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/adweb_product_categories?post=515"},{"taxonomy":"adweb_product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.siproin-ic.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/adweb_product_tags?post=515"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}