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Características
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Valores máximos absolutos
| Parámetro | Clasificación |
| VDD a AGND | -0,3 V a +7 V |
| VDD a DGND | -0,3 V a +7 V |
| Tensión de entrada analógica a AGND (VAP, VBP, VCP, VN, IAP, IAN, IBP, IBN, ICP e ICN) | -6 V a +6 V |
| Tensión de entrada de referencia a AGND | -0,3 V a V + 0,3 V DD |
| Tensión de entrada digital a DGND | -0,3 V a V + 0,3 V DD |
| Tensión de salida digital a DGND | -0,3 V a V + 0,3 V DD |
| Temperatura de funcionamiento Industrial | -40°C a +85°C |
| Temperatura de almacenamiento | -40°C a +85°C |
| Temperatura de unión | 150°C |
| SOIC de 24 terminales, disipación de potencia | 450 mW |
| θJA Impedancia térmica | 250°C/W |
| Temperatura del plomo, Soldadura | |
| Fase vapor (60 seg) | 215°C |
| Infrarrojos (15 seg) | 220°C |
Características eléctricas
（VDD = 5 V ± 5%, AGND = DGND = 0 V, referencia en chip, CLKIN = 10 MHz, TMIN a TMAX = -40°C a +85°C, a menos que se indique lo contrario.）
| Parámetro | Valor | Unidad | Condiciones |
| PRECISIÓN | |||
| Error de medición en el canal de corriente | 0.1 | %ipo de lectura | Canal de tensión con señal de escala completa (±500 mV), 25°C, en un rango dinámico de 500 a 1 |
| Error de fase entre canales PF = 0,8Capacitivo | ±0.1 | Grados | Frecuencia de línea 50~60Hz |
| Error de fase entre canales PF = 0,5Inductivo | ±0.1 | Grados | |
| Rechazo de la alimentación de CA Variación de la frecuencia de salida (CF) | 0.2 | %ipo de lectura | SCF=0,S1=S0=1， IA=IB=IC=100mVrms，50Hz VA=VB=VC=100mVrms，50Hz ondulación en VDD de 175 mV rms，100Hz |
| Rechazo de la fuente de alimentación de CC Variación de la frecuencia de salida (CF) | ±0.3 | %ipo de lectura | S1=1，S0=SCF=0 IA=IB=IC=100mV rms，50Hz VA=VB=VC=100mVrms，50Hz VDD =5V±250mV |
| ENTRADAS ANALÓGICAS | |||
| Niveles máximos de señal | ±0.5 | Vmax | VA,VB,VC,IA,IB,IC a GND |
| Impedancia de entrada (CC) | 390 | kΩ min | CLKOSC=10MHz |
| Ancho de banda (-3 dB) | 14 | kHz típico | CLKOSC/256，CLKOSC=10MHz |
| Error de offset del ADC | ±16 | mV máx | |
| Error de ganancia | ±9 | %Ideal typ | Referencia externa de 2,5 V IAP=IBP=ICP=500mV ，dc |
| REFERENCIA EN CHIP | |||
| Error de referencia | ±200 | mV máx | Nominal 2,5 V |
| Coeficiente de temperatura | 30 | ppm/℃ tipo | |
| CLKIN | |||
| Frecuencia de reloj de entrada | 12 | MHz máx. | Todas las especificaciones para CLKIN de 10 MHz |
| 8 | MHz min | ||
| ENTRADAS LÓGICAS SCF, S0, S1 y ABS | |||
| Tensión alta de entrada, VINH | 2.4 | V min | VDD=5V±5% |
| Tensión baja de entrada, VINL | 0.8 | V máx | VDD=5V±5% |
| Corriente de entrada, IEN | ±3 | μA máx | Típicamente 10nA,VIN=0V a VDD |
| Capacitancia de entrada, CEN | 10 | pF máx | |
| SALIDA LÓGICA F1 y F2 | |||
| Alta tensión de salida, VOH | 4.5 | V min | IFUENTE=10mA，VDD=5V |
| Tensión baja de salida, VOL | 0.5 | V máx | IFREGADERO=10mA，VDD=5V |
| CF y REVP | |||
| Alta tensión de salida, VOH | 4 | V min | IFUENTE=10mA，VDD=5V |
| Tensión baja de salida, VOL | 0.5 | V máx | IFREGADERO=10mA，VDD=5V |
| FUENTE DE ALIMENTACIÓN Para el rendimiento especificado | |||
| VDD | 4.75 | V min | 5V-5% |
| 5.25 | V máx | 5V+5% | |
| IDD | 8 | mA máx. | |
| 5 | mA min | Normalmente 6,5 mA | |
Información sobre pedidos
| Modelo de producto | paquete | forma de envasado | Cantidad mínima de embalaje |
| SSP1852 | SOP24 | Tubo | 30PCS |
Shanghai Siproin
Microelectronics Co.,Ltd.
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