Características
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Características
| Aplicación:
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Valores máximos absolutos
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Tensión de alimentación VDD | VDD | -0.3~+4 | V |
| Tensión de entrada analógica a GND | IP~IN,VP | -4~+4 | V |
| Tensión digital a GND | SEL,CF,CF1 | -0.3~VDD+0.3 | V |
| Temperatura de funcionamiento | T | -40~+85 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | T | -40~+85 | ℃ |
| Potencia de disipación del SOP8 | Pd | 10 | mW |
Nota: A menos que se especifique lo contrario, Tamb= 25℃
Características eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de la prueba | Medida Pin | Min | Tipo | Max | Unidad |
| Fuente de alimentación | VDD | 3.0 | 3.6 | V | |||
| Disipación de potencia | Iop | VDD=3,3V | 3 | mA | |||
| Error de medición de la potencia activa (error absoluto) | WATTerr | un rango dinámico de 2500 a 1 | CF | 0.3 | 0.5 | % | |
| Medición del error de fluctuación de la potencia activa (Señal grande) | Δ@6%Ib, Ib=5A | 300mA@ 1mohm resistencia de la muestra, prueba media de 2 vueltas | CF | 0.1 | 0.2 | % | |
| Medición del error de fluctuación de la potencia activa (Pequeña señal) | Δ@1%Ib,Ib=5A | 50mA @ 1mohm resistencia de la muestra, prueba 1 vuelta | CF | 0.15 | 0.3 | % | |
| Error de fase cuando PF=0,8 Capacitivo | PF08err | Dirección actual 37°(PF=0,8) | 0.5 | % | |||
| Error de fase cuando PF=0,5Inductivo | PF05err | Retrasos actuales 60°(PF=0,5) | 0.5 | % | |||
| AC PSRR | ACPSRR | IP/N=100mV | 0.1 | % | |||
| DC PSRR | DCPSRR | VP/N=100mV | 0.1 | % | |||
| Error de medición Vrms | VRMSerr | CF1 | 0.3 | % | |||
| Medición Irms Error | IRMSerr | Ib | CF1 | 0.3 | % | ||
| Entrada analógica Tensión(corriente) | Actual entrada diferencial (pico) | 50 | mV | ||||
| Tensión de entrada analógica (voltaje) | tensión diferencial de entrada (pico) | 200 | mV | ||||
| Impedancia de entrada analógica | VP/IP/IN | 370 | kΩ | ||||
| SEL resistencia pull-down | SEL((desplegable) | 80 | kΩ | ||||
| Ancho de banda de la señal de entrada | (-3dB) | 3.5 | kHz | ||||
| Referencia de tensión en chip | Vref | VREF | 1.218 | V | |||
| Alta tensión de entrada | VDD=3,3V±5% | 2.6 | V | ||||
| Tensión baja de entrada | VDD=3,3V±5% | 0.8 | V | ||||
| Alta tensión de salida | VDD=3,3V±5% IOH=5mA | VDD-0,5 | V | ||||
| Baja tensión de salida | VDD=3,3V±5% IOL=5mA | 0.5 | V | ||||
| Umbral de sobreintensidad | Muestreo actual resistencia 1mΩ | 36 | A | ||||
| la frecuencia de la sobrecorriente | 7.17 | KHz | |||||
| tiempo de respuesta de Sobrecorriente | 200 | ms |
Nota:A menos que se especifique lo contrario, Tamb= 25℃
Todos los valores de tensión toman como punto de referencia el potencial del terminal GND.
Condiciones de prueba VDD=3,3V, oscilador de cristal de 2M incorporado.
Información sobre pedidos
| Nº de pieza | Paquete | Forma de envasado | Dispositivos por bolsa/bobina |
| SSP1837 | SOP8 | Carrete | 2500PCS |



Shanghai Siproin
Microelectronics Co.,Ltd.
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