Características eléctricas
Este dispositivo contiene circuitos para proteger las entradas contra daños causados por altas tensiones estáticas o campos eléctricos. No obstante, se aconseja tomar las precauciones normales para evitar la aplicación de cualquier tensión superior a las tensiones nominales máximas a estos circuitos de alta impedancia (Hi-Z).
El aparato también dispone de protección contra campos magnéticos externos. Deben tomarse precauciones para evitar la aplicación de cualquier campo magnético más intenso que la intensidad de campo máxima especificada en los valores nominales máximos.
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Valor | Unidad |
| Vcc | Tensión de alimentación | -0,5 a 4 | V |
| Vin | Tensión en cualquier pin | -0,5 a Vcc | V |
| Iout | Corriente de salida por pin | ±4 | mA |
| Tbias | Temperatura bajo polarización | Calidad comercial | -40 a 85 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55 a 125 | ℃ |
| Tlead | Temperatura del plomo durante la soldadura(3mins max)(nota1) | 260 | ℃ |
| Hmáx_escritura | Campo magnético máximo durante la escritura | Escriba a | 4,000 | A/m |
| Hmax_leer | Campo magnético máximo durante la lectura o en espera | Lectura o espera | 40,000 | A/m |
| Hmax_poweroff | Máximo magnético campo durante el apagado | Apagar | 40,000 | A/m |
*Nota 1: Recomendamos programar el dispositivo después del reflujo. No se garantizan los datos escritos antes del reflujo.
ADVERTENCIA:Los dispositivos semiconductores pueden sufrir daños permanentes si se les somete a esfuerzos (tensión, corriente, temperatura, magnetismo, etc.) superiores a los valores nominales máximos absolutos. Utilice siempre los dispositivos semiconductores dentro de los rangos de condiciones de funcionamiento recomendados. El funcionamiento fuera de estos márgenes puede afectar negativamente a la fiabilidad y provocar el fallo del dispositivo. No se ofrece ninguna garantía con respecto a usos, condiciones de funcionamiento o combinaciones no representados en la hoja de datos.
Característica CC/CA
En esta sección se presentan las características de CC y CA del aparato. Los valores de los parámetros de CC y CA indicados en las tablas siguientes proceden de ensayos realizados en las condiciones de funcionamiento y medición que también se indican en las tablas correspondientes. Los diseñadores deben tener en cuenta que las condiciones de funcionamiento de su circuito coincidan con las condiciones de medición cuando se basen en los parámetros indicados.
Condiciones de funcionamiento
| Símbolo | Parámetro | Min | Max | Unidad |
| Vcc | Suministro de tensión | 2.7 | 3.6 | V |
| Impuesto | Temperatura de funcionamiento (comercial) | -40 | 85 | ℃ |
Características CC
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de la prueba | Min | Tipo. | Max | Unidad |
| ILI | Corriente de fuga de entrada | | | | ±1 | μA |
| OIT | Corriente de fuga de salida | | | | ±1 | μA |
| ISLP | Corriente de sueño | | | 2 | 13 | uA |
| ISBY | Corriente de espera | | | 2 | 2.7 | mA |
| ICC | Corriente activa | SPI Escritura/Lectura | CLK = 1MHz | | 2.25 | | mA |
| CLK = 10MHz | | 2.5 | | mA |
| CLK = 20MHz | | 3 | 4.8 | mA |
| CLK = 50MHz | | 4.3 | 6.9 | mA |
| QPI Escritura/Lectura | CLK = 1MHz | | 2.5 | | mA |
| CLK = 10MHz | | 4 | | mA |
| CLK = 20MHz | | 5 | 7 | mA |
| CLK = 50MHz | | 7 | 9 | mA |
| VIL | Baja tensión de entrada | | -0.3 | | 0.8 | V |
| VIH | Alta tensión de entrada | | 2.0 | | Vcc+0,3 | V |
| VOL | Baja tensión de salida | IOL = 4 mA | | | 0.4 | V |
| VOH | Alta tensión de salida | IOH = -4mA | 2.4 | | | V |
Pin Capacitancia
| Símbolo | Parámetro | Típico | Max | Unidad |
| Cp* | Capacidad externa de alimentación VCC/VSS | | 10 | uF |
| CIN | Capacitancia de entrada de control | – | 8 | pF |
| CIO | Capacidad IO | – | 12 | pF |
| CLOAD | Capacidad de carga | – | 32 | рF |
*Nota: Se recomienda que el condensador externo Cp en Vcc/Vss sea ≤10μF; si Cp > 10μF, la lectura de datos puede ser inestable cuando Vcc vuelva a la tensión de funcionamiento normal tras el apagado. En este caso, para que los datos se lean de forma fiable, sugiero operar la dirección más alta para escribir datos ID(0x29, 0x55 ) dentro del rango de tensión de trabajo especificado, y luego confirmar estos datos ID antes de operar en el chip. Si los datos ID son erróneos, es necesario enviar 0xB9 (sleep) y 0xAB (wake-up), para que el chip se lea de forma fiable; De lo contrario, cuando se enciende y se apaga con frecuencia, el circuito de hardware asegura que la tensión de arranque del chip es inferior a Vs (0,3V), cuando Vcc sube desde abajo.
Características de CA
| Símbolo | Parámetro | 50Mhz | Unidad |
| Min | Max |
| tCLK | Período CLK | 20 | | ns |
| tCH/tCL | Anchura alta/baja del reloj | 1.5 | | ns |
| tKHKL | Tiempo de subida o bajada de CLK | | 1.5 | ns |
| tCPH | CE# Alto entre ráfagas subsiguientes | 20 | | ns |
| tCSP | CE# Tiempo de establecimiento al flanco ascendente de CLK | 3 | | ns |
| tCHD | CE# Tiempo de mantenimiento desde flanco ascendente de CLK | 50 | | ns |
| tSP | Tiempo de establecimiento del flanco CLK activo | 2 | | ns |
| tHD | Tiempo de espera desde flanco CLK activo | 2 | | ns |
| tHZ | Desactivación de chip a salida DQ altaZ | | 6 | ns |
| tACLK | Retardo de CLK a salida | 8 | 10 | ns |
| tKOH | Tiempo de retención de datos desde el flanco descendente del reloj | 1.5 | | ns |
| tRST | Tiempo de recuperación del reinicio tras el comando Operación | 150 | | us |
| tESLP | Tiempo de entrada en reposo desde el comando Reposo | | 40 | us |
| tRSLP | Tiempo de recuperación desde el comando Sleep exit | 1 | | ms |
Tiempo de encendido
Para proteger los datos durante el encendido inicial, la pérdida de alimentación o la caída de tensión, cuando Vcc cae por debajo de VCC（min）el dispositivo no se puede seleccionar (CE# no puede bajar) y el dispositivo no puede realizar operaciones de lectura o escritura.
Tiempo de retardo de encendido
Durante el encendido inicial o al recuperarse de una caída de tensión o pérdida de alimentación, debe añadirse un tiempo de retardo de encendido (tPU) desde sus tensiones mínimas especificadas (Vcc(min)) hasta que pueda comenzar el funcionamiento normal.
tPU se mide a partir del momento en que Vcc han alcanzado sus voltajes mínimos especificados. y el dispositivo terminará la recuperación de fusibles y los bloques analógicos son estables para trabajar.
| Símbolo | Parámetro | Min | Max | Unidad |
| Vs | Tensión de arranque del chip | – | 0.3 | V |
| t PU | Tiempo de retardo de encendido | 1.5 | – | ms |
Información sobre pedidos
| Dispositivo de pedido | Densidad | Tensión típica | Interfaz | Paquete Tipo | Op Temp(℃) | Cantidad por paquete |
| PM002MNIATU | 2Mbit | 3.3V | SPI/QPI | SOP8_150mil | -40 a 85 | 100/tubo |
| PM002MNIATR | 2Mbit | 3.3V | SPI/QPI | SOP8_150mil | -40 a 85 | 2500/Bobina |
