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El SSP1220 es un convertidor analógico-digital de precisión de 24 bits desarrollado y diseñado por Siproin Microelectronics. El SSP1220 es capaz de realizar conversiones a velocidades de muestreo de datos de hasta 2k SPS y es estable en un solo ciclo. Para aplicaciones industriales en entornos ruidosos, el filtro digital proporciona rechazo de 50 Hz y 60 Hz a una frecuencia de muestreo de 20 SPS.
El SSP8011A-A es un IC de detección táctil capacitiva monocanal de bajo coste y bajo consumo.circuito regulador de tensión incorporado, pocos componentes periféricos, sólo unos pocos componentes pueden lograr la detección táctil.
Proporciona 2 modos de salida, alta / baja salida optional.Reset después de un máximo de 9S.The sensibilidad de las teclas sensibles al tacto se puede ajustar según sea necesario mediante el ajuste de la resistencia externa y capacitance.
El nuevo SSP9481 es un convertidor buck asíncrono de 80 V y 1 A de alto rendimiento ideal para diseñar sistemas de alimentación con una amplia gama de tensiones de entrada (de 4,5 V a 80 V) a salidas de 3,3 V y capacidad de 1 A en carga. A continuación, explicaremos cómo utilizar el chip SSP9481 para completar esta tarea de diseño, incluyendo la selección de parámetros clave, el diseño del circuito, la selección de componentes y la optimización del rendimiento.
De acuerdo con las características de la serie de productos de Shanghai Siproin Microelectronics , que podría ser ampliamente utilizado en los contadores inteligentes que implican la protección de fugas, detección de alumbrado público, tomas de corriente, pilas de carga, cajas de distribución eléctrica inteligente y otras categorías relacionadas con los contadores.
El detector de voltaje es un chip IC que monitoriza el voltaje de la línea de alimentación para emitir una señal detectada cuando el voltaje cae por debajo o excede el voltaje de ajuste, que también está en cortocircuito para VD.Siproin proporciona chips de detección de bajo voltaje de bajo consumo, que están disponibles en dos formas: Salida CMOS y salida NMOS de drenaje abierto.
STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) es la segunda generación de MRAM (memoria magnética de acceso aleatorio). Su principal ventaja radica en el uso de la tecnología de corriente de espín para lograr una escritura eficaz de la información. El componente central de su unidad de almacenamiento es una MTJ (unión de túnel magnético) de fino diseño, que consta de dos capas ferromagnéticas de distinto grosor intercaladas por una capa de aislamiento no magnética de sólo unos nanómetros de grosor. Este diseño único convierte a la STT-MRAM en una memoria no volátil avanzada que realiza operaciones de escritura de datos controlando con precisión la corriente de espín.
