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| Artículo | Min | Max | Unidad |
| VEN tensión(1) | -0.3 | 6.0 | V |
| VOUT tensión (1) | -0.3 | 5.5 | V |
| Disipación de potencia continua (TA = 25°C) (2) | 0.4 | W | |
| Disipación de potencia | Limitado internamente | ||
| Temperatura de funcionamiento de la unión, TJ | -40 | 125 | °C |
| Temperatura de almacenamiento, Tstg | -65 | 150 | °C |
| Temperatura del plomo (Soldadura, 10seg.) | 260 | °C | |
| Símbolo | Parámetro | Max. | Unidad |
| θJA | Resistencia térmica(3) | 170 | ℃/W |
| θJC | 75 | ℃/W |
Nota (1): Superar estos valores nominales puede dañar el aparato.
Nota (2): La disipación de potencia máxima admisible es función de la temperatura máxima de unión TJ(MAX)la resistencia térmica entre la unión y el ambiente θJAy la temperatura ambiente TA. La disipación de potencia continua máxima admisible a cualquier temperatura ambiente se calcula mediante PD(MAX)=(TJ(MAX)-TA)/θJA. Si se supera la disipación de potencia máxima permitida, la temperatura de la matriz será excesiva y el regulador entrará en parada térmica. El circuito interno de apagado térmico protege al dispositivo de daños permanentes.
Nota (3): Medido en JESD51-7, PCB de 4 capas.
VEN=5V，TA=25°C, salvo que se especifique lo contrario.
| Parámetro | Condiciones de la prueba | Min | Tipo | Max | Unidad |
| Rango de tensión de entrada | 2.7 | 5.5 | V | ||
| Protección contra sobretensión de entrada | 5.8 | 6 | 6.5 | V | |
| Corriente de reposo, IQ | VEN =5.0V | 20 | 40 | 60 | µA |
| Corriente de parada, IOFF | VEN =5,0V , VCE =0 | 0.1 | 2.0 | µA | |
| Tensión de entrada UVLO | Aumentando | 2.55 | 2.65 | V | |
| Caída | 2.25 | 2.37 | V | ||
| Tensión de realimentación | VEN =5.0V | 0.588 | 0.6 | 0.612 | V |
| Límite de corriente de salida | VEN = 5,0V, VOUT = 3.3V | 2.5 | 3 | A | |
| Regulación de línea | VEN = 3 a 5,0 V | 0.2 | %/V | ||
| Regulación de la carga | IOUT= 0.1 - 1A | 0.1 | 2 | %/A | |
| Frecuencia de conmutación | VEN =5.0V | 1 | 1.3 | 1.8 | MHz |
| Resistencia ON PMOS | VEN =5.0V | 140 | mΩ | ||
| Resistencia ON NMOS | VEN =5.0V | 80 | mΩ | ||
| Umbral de entrada CE ON | VEN =5.0V | 0.9 | 1.1 | V | |
| Umbral de entrada CE OFF | VEN =5.0V | 0.4 | 0.7 | V | |
| Resistencia de pull down de la entrada CE | 750 | kΩ | |||
| Salida descarga resor, Rpd | VEN =5.0V | 50 | Ω | ||
| Protección contra sobretemperatura | 150 | ℃ | |||
| Histéresis OTP | 40 | ℃ |
Shanghai Siproin
Microelectronics Co.,Ltd.
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