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Características
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Valores máximos absolutos
| Nombre del parámetro | Simbólico | Valor | Unidad |
| Tensión de alimentación del chip | VDD | -0.3~+7 | V |
| Entradas de señales analógicas | IAP, IBP, ICP, VAP, VBP, VCP a GND Tensión | -6~+6 | V |
| Tensión de entrada de referencia | -0.3~VDD+0.3 | V | |
| Tensión de entrada digital | -0.3~VDD+0.3 | V | |
| Tensiones de salida digitales | -0.3~VDD+0.3 | V | |
| Temperatura de funcionamiento | T | -40~+85 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40~+85 | ℃ |
| Temperatura de unión | Tj | +150 | ℃ |
| SSOP24Disipación de potencia del paquete | Pd | 450 | mW |
| Resistencia térmica | θJA | 112 | ℃/W |
| Soldadura en fase vapor(60S) | +215 | ℃ | |
| Soldadura por infrarrojos(15S) | +220 | ℃ |
Nota:A menos que se especifique lo contrario, TA = 25℃.
Características eléctricas
| Elementos de medida | Simbólico | Condiciones de medición | Min | Típico | Max | Unidad |
| Tensión de funcionamiento del chip | VDD | 4.75 | 5 | 5.25 | V | |
| Corriente de trabajo del chip | IDD | 5 | 6.5 | 8 | mA | |
| Error de medición del canal actual | El canal 2 es de entrada completa (±500mV), +25℃, rango dinámico 500:1 | 0.1 | % | |||
| Error de fase entre los canales de corriente y tensión | Frecuencia de línea 45-65Hz, V1 rebasada en 37°(PF=0,8 capacitivo) | ±0.1 | % | |||
| Frecuencia de línea 45-65Hz,, histéresis V1 60° (PF = 0,5 inductivo) | ±0.1 | % | ||||
| La fuente de alimentación de CA suprime las variaciones de frecuencia de salida(CF). | SCF=0,S1=S0=1, IA=IB=IC=100mVrms,50Hz VA=VB=VC=100mVrms,50Hz VDD más 200 mV rms, ondulación de 100 Hz | 0.2 | % | |||
| La fuente de alimentación de CC suprime las variaciones de frecuencia de salida(CF). | S1=1,S0=SCF=0 IA=IB=IC=100mV rms,50Hz VA=VB=VC=100mVrms,50Hz VDD =5V±250mV | ±0.3 | % | |||
| Entradas analógicas | ||||||
| Nivel máximo de señal | VA, VB, VC, IA, IB, IC tensión a GND | ±0.5 | V | |||
| Resistencia de entrada CC | CLKOSC=10MHz | 390 | kΩ | |||
| Anchos de banda de -3 dB | CLKOSC/256,CLKOSC=10MHz | 14 | KHZ | |||
| Error de desalineación del ADC | ±16 | mV | ||||
| Error de ganancia | Fuente de referencia externa 2,5V,IAP=IBP=ICP=500mV ,dc | ±9 | % | |||
| Fuente de referencia en chip | ||||||
| Error de tensión de referencia | Valor nominal 2,5 V | ±200 | mV | |||
| Coeficiente de temperatura | Valor nominal 2,5 V | 30 | ppm/℃ | |||
| Entrada de reloj | ||||||
| Frecuencia de reloj de entrada | Todos los CLKOSC indicadores son de 10MHz | 8 | 10 | 12 | MHZ | |
| entrada lógica SCF,S0,S1,AC/DC,RESET,G0 y G1 | ||||||
| Nivel alto de entrada | VINH | VDD=5V±5% | 2.4 | |||
| Nivel bajo de entrada | VINL | VDD=5V±5% | 0.8 | |||
| Corriente de entrada | VIN=0V~VDD | 0.01 | ±3 | μA | ||
| Capacidad de entrada | 10 | pF | ||||
| salida lógica F1,F2 | ||||||
| Nivel alto de salida | VOH | ISOURCE=10mA,VDD=5V | 4.5 | V | ||
| Nivel bajo de salida | VOL | ISINK=10mA,VDD=5V | 0.5 | V | ||
| CF,REVP | ||||||
| Nivel alto de salida | VOH | ISOURCE=10mA,VDD=5V | 4 | V | ||
| Nivel bajo de salida | VOL | ISINK=10mA,VDD=5V | 0.5 | V | ||
Nota: A menos que se especifique lo contrario, TA = 25 ℃.
Todos los valores de tensión utilizan el potencial del terminal GND como punto de referencia.
VDD= 5V±5%, GND=0V, utilizando fuente de referencia en chip, CLKOSC=10MHz.
Información para pedidos
| Modelo de producto | Paquete | Forma de envasado | Cantidad mínima de embalaje |
| SSP1880 | SOP16 | Carretes | 2500PCS |



Shanghai Siproin
Microelectronics Co.,Ltd.
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