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SSP1220 ist ein präziser 24-Bit-Analog-Digital-Wandler, der von Siproin Microelectronics entwickelt und konstruiert wurde. Der SSP1220 ist in der Lage, Konvertierungen bei Abtastdatenraten von bis zu 2k SPS durchzuführen und ist innerhalb eines einzigen Zyklus stabil. Für industrielle Anwendungen in verrauschten Umgebungen bietet der digitale Filter sowohl eine 50Hz- als auch eine 60Hz-Unterdrückung bei einer Abtastfrequenz von 20SPS.
Der SSP8011A-A ist ein kostengünstiger, stromsparender kapazitiver Einkanal-Touch-Sensing-IC.Eingebauter Spannungsregler-Schaltkreis, wenige periphere Komponenten, nur wenige Komponenten können Touch-Sensing erreichen.
Bietet 2 Ausgabemodi, hohe/niedrige Ausgabe optional.Reset nach maximal 9S.Die Empfindlichkeit der berührungsempfindlichen Tasten kann durch Einstellen des externen Widerstands und der Kapazität nach Bedarf angepasst werden.
Der neue SSP9481 ist ein hochleistungsfähiger asynchroner Abwärtswandler mit 80 V und 1 A, der sich ideal für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen mit einem breiten Eingangsspannungsbereich (4,5 V bis 80 V) und 3,3 V Ausgangsspannung sowie 1 A Belastbarkeit eignet. Im Folgenden wird erläutert, wie der SSP9481-Chip für diese Designaufgabe eingesetzt werden kann, einschließlich der Auswahl von Schlüsselparametern, des Schaltungsdesigns, der Komponentenauswahl und der Leistungsoptimierung.
Gemäß den Eigenschaften der Produktserie von Shanghai Siproin Microelectronics, die in intelligenten Zählern, wie z.B. Leckageschutz, Straßenbeleuchtungserkennung, Steckdosen, Ladesäulen, intelligenten Stromverteilerkästen und anderen zählerbezogenen Kategorien, weit verbreitet sein könnte.
Der Spannungsdetektor ist ein IC-Chip, der die Spannung der Stromversorgungsleitung überwacht und ein Erkennungssignal ausgibt, wenn die Spannung unter oder über die eingestellte Spannung fällt, die auch für VD kurzgeschlossen ist.Siproin bietet stromsparende Chips zur Erkennung niedriger Spannungen, die in zwei Formen erhältlich sind: CMOS-Ausgang und NMOS-Open-Drain-Ausgang.
STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) ist die zweite Generation von MRAM (magnetic random access memory). Sein Hauptvorteil liegt in der Verwendung der Spinstromtechnologie, um ein effizientes Schreiben von Informationen zu erreichen. Das Herzstück der Speichereinheit ist ein ausgeklügelter MTJ (magnetic tunnel junction), der aus zwei unterschiedlich dicken ferromagnetischen Schichten besteht, die von einer nur wenige Nanometer dicken nichtmagnetischen Isolierschicht umschlossen werden. Dieses einzigartige Design macht STT-MRAM zu einem fortschrittlichen nichtflüchtigen Speicher, der Daten durch präzise Steuerung des Spinstroms schreibt.
